SRAM 2Mb EMMC मेमोरी चिप्स 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V

उत्पाद विवरण

IS61LV2568L-10T SMD / SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

विशेषताएँ

• उच्च गति पहुंच समय: 8, 10 एनएस

• ऑपरेटिंग करंट: 50mA (टाइप।)

• स्टैंडबाय करंट: 700μA (टाइप।)

• अधिक शोर प्रतिरक्षा के लिए एकाधिक केंद्र शक्ति और ग्राउंड पिन

• सीई और ओई विकल्पों के साथ आसान मेमोरी विस्तार

• सीई पावर-डाउन

• टीटीएल संगत इनपुट और आउटपुट

• सिंगल 3.3V बिजली की आपूर्ति

• उपलब्ध पैकेज: - 36-पिन 400-मिलिट्री SOJ - 44-पिन TSOP (टाइप II)

• सीसा रहित उपलब्ध

विवरण

ISSI IS61LV2568L एक बहुत ही उच्च गति, कम शक्ति, 262,144-शब्द 8-बिट CMOS स्थिर RAM है।IS61LV2568L को ISSI की उच्च-प्रदर्शन CMOS तकनीक का उपयोग करके बनाया गया है।

यह अत्यधिक विश्वसनीय प्रक्रिया अभिनव सर्किट डिजाइन तकनीकों के साथ मिलकर उच्च प्रदर्शन और कम बिजली की खपत वाले उपकरणों का उत्पादन करती है।जब सीई उच्च (अचयनित) होता है, तो डिवाइस एक स्टैंडबाय मोड ग्रहण करता है जिस पर सीएमओएस इनपुट स्तरों के साथ बिजली अपव्यय को 36mW (अधिकतम) तक कम किया जा सकता है।

IS61LV2568L एकल 3.3V बिजली आपूर्ति से संचालित होता है और सभी इनपुट TTL-संगत हैं।IS61LV2568L 36-पिन 400-मिलिट्री SOJ और 44-पिन TSOP (टाइप II) पैकेज में उपलब्ध है।