MT40A512M16LY-075-E EMMC मेमोरी चिप्स DRAM DDR4 8G 512MX16

उत्पाद विवरण

MT40A512M16LY-075-E मूल DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA मेमोरी डेटा स्टोरेज

विशेषताएँ

• वीडीडी = वीडीडीक्यू = 1.2V ±60mV

• वीपीपी = 2.5वी, -125mV, +250mV

• ऑन-डाई, आंतरिक, समायोज्य VREFDQ पीढ़ी

• 1.2V स्यूडो ओपन-ड्रेन I/O

• टीसी तापमान सीमा पर 8192-चक्र का ताज़ा समय: - -40°C से 85°C पर 64ms - 32ms>85°C से 95°C - 16ms>95°C से 105°C पर

• 16 आंतरिक बैंक (x4, x8): प्रत्येक 4 बैंकों के 4 समूह

• 8 आंतरिक बैंक (x16): 4 बैंकों के 2 समूह प्रत्येक • 8n-बिट प्रीफ़ेच आर्किटेक्चर

• प्रोग्रामयोग्य डेटा स्ट्रोब प्रस्तावना

• डेटा स्ट्रोब प्रस्तावना प्रशिक्षण

• कमांड/पता विलंबता (सीएएल)

• बहुउद्देशीय रजिस्टर पढ़ें और लिखें क्षमता

• लेवलिंग लिखें

• सेल्फ रिफ्रेश मोड

• लो-पावर ऑटो सेल्फ रिफ्रेश (LPASR)

• तापमान नियंत्रित रिफ्रेश (TCR)

• बारीक ग्रैन्युलैरिटी रिफ्रेश

• सेल्फ़ रीफ़्रेश निरस्त करना

• अधिकतम बिजली की बचत

• आउटपुट ड्राइवर कैलिब्रेशन

• नाममात्र, पार्क, और गतिशील ऑन-डाई टर्मिनेशन (ODT)

• डेटा बस के लिए डेटा बस उलटा (DBI)

• कमान/पता (सीए) समता

• डाटाबेस राइट साइकल रिडंडेंसी चेक (सीआरसी)

• प्रति-DRAM एड्रेसेबिलिटी

• कनेक्टिविटी परीक्षण

• JEDEC JESD-79-4 आज्ञाकारी

• एसपीपीआर और एचपीपीआर क्षमता