उत्पाद विवरण:
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उत्पत्ति के प्लेस: | मूल |
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ब्रांड नाम: | Original |
प्रमाणन: | ISO9001:2015standard |
मॉडल संख्या: | BSZ100N03MSGATMA1 |
भुगतान & नौवहन नियमों:
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न्यूनतम आदेश मात्रा: | 10 पीसी |
मूल्य: | Contact us to win best offer |
पैकेजिंग विवरण: | मानक |
प्रसव के समय: | 1-3 सप्ताह के दिन |
भुगतान शर्तें: | एल/सी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, पेपैल |
आपूर्ति की क्षमता: | 10000 पीसी / महीने |
विस्तार जानकारी |
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स्थापना शैली: | एसएमडी / श्रीमती | पैकेज / बॉक्स: | टीएसडीएसओएन-8 |
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ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: | n- चैनल | विन्यास: | एक |
ट्रांजिस्टर प्रकार: | 1 एन-चैनल | इकाई का वज़न: | 38.760 मिलीग्राम |
हाई लाइट: | TSDSON-8 MOSFET IC चिप,N चैनल MOSFET IC चिप,30V N चैनल MOSFET |
उत्पाद विवरण
BSZ100N03MSGATMA1 MOSFET BSZ100N03MS GSP000311510 MSP430F5514IRGCT LPC812M101JD20 असतत अर्धचालक
MOSFET
OptiMOS TM3 M-सीरीज़ पावर-MOSFET, 30 V
विशेषताएँ
● 5V ड्राइवर एप्लिकेशन (नोटबुक, वीजीए, पीओएल) के लिए अनुकूलित
उच्च आवृत्ति एसएमपीएस के लिए कम FOMQsw
100% हिमस्खलन परीक्षण किया गया
●एन-चैनल
●बहुत कम ऑन-रेसिस्टेंस Ros(on) @ Vcs=4.5 V
●उत्कृष्ट गेट चार्ज x आरओएस (ऑन) उत्पाद (एफओएम)
लक्ष्य अनुप्रयोगों के लिए JEDEC के अनुसार योग्य"
●बेहतर थर्मल प्रतिरोध
●पंजाब मुक्त चढ़ाना;RoHS कॉम्प्लाइंट
IEC61249-2-21 के अनुसार हलोजन मुक्त
उत्पाद श्रेणी: | MOSFET |
एसएमडी / श्रीमती | |
टीएसडीएसओएन-8 | |
n- चैनल | |
1 चैनल | |
30 वी | |
40 ए | |
7.3 ओम | |
- 20 वी, + 20 वी | |
1 वि | |
23 एनसी | |
- 55 सी | |
+ 150 सी | |
30 डब्ल्यू | |
वृद्धि | |
रील | |
कट टेप | |
विन्यास: | अकेला |
पतझड़ का समय: | 2.4 एनएस |
फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन - न्यूनतम: | 26 एस |
कद: | 1.1 मिमी |
लंबाई: | 3.3 मिमी |
उत्पाद प्रकार: | MOSFET |
वृद्धि समय: | 2.8 एनएस |
श्रृंखला: | ऑप्टिमोस 3एम |
5000 | |
उपश्रेणी: | MOSFETs |
ट्रांजिस्टर प्रकार: | 1 एन-चैनल |
विशिष्ट टर्न-ऑफ विलंब समय: | 16 एनएस |
विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय: | 3.8 एनएस |
चौड़ाई: | 3.3 मिमी |
भाग # उपनाम: | BSZ100N03MS जी SP000311510 |
इकाई का वज़न: | 0.001367 ऑउंस |
संबंधित स्टॉक मॉडल
ADM213EARSZ-रील | 37500 |
सीएसडी18532Q5B | 13180 |
टीपीएस54232DR | 25000 |
एसपीसी5607बीएफ1वीएलयू6आर | 3000 |
AD7490BCPZ | 800 |
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